请教关于华硕主版添加内存条的事~~~
最近有人想送我条内存。。。。没办法。不好拒绝。。
我的板子是P4P800-MX的。。。。
Iintel pentium(R) 4 CPU 2.40GHz
大概是在04年装的。。。
请问能加什么样的内存卡啊？？？ DDR 400 的！别搞到二代内存去了噢！你只能加一代的内存！内存牌子就金士顿 创见 之类的！ 噢噢。。。
谢龙哥啦~~~:13: :13:
DDR与DDR2的区别.
DDR时代DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)简称DDR，也就是“双倍速率SDRAM“的意思。DDR可以说是SDRAM的升级版本， DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速度为传统SDRAM的两倍。由于仅多采用了下降缘信号，因此并不会造成能耗增加。至于定址与控制信号则与传统SDRAM相同，仅在时钟上升缘传输。
DDR 内存是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案，其目的是迅速建立起牢固的市场空间，继而一步步在频率上高歌猛进，最终弥补内存带宽上的不足。第一代DDR200 规范并没有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz时钟×2倍数据传输＝266MHz带宽）是由PC133 SDRAM内存所衍生出的，它将DDR 内存带向第一个高潮，目前还有不少赛扬和AMD K7处理器都在采用DDR266规格的内存，其后来的DDR333内存也属于一种过度，而DDR400内存成为目前的主流平台选配，双通道DDR400内存已经成为800FSB处理器搭配的基本标准，随后的DDR533 规范则成为超频用户的选择对象。
DDR2时代
随着CPU 性能不断提高，我们对内存性能的要求也逐步升级。不可否认，紧紧依高频率提升带宽的DDR迟早会力不从心，因此JEDEC 组织很早就开始酝酿DDR2 标准，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平台开始对DDR2内存的支持，所以DDR2内存将开始演义内存领域的今天。
DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽，而且其接口将运行于1.8V 电压上，从而进一步降低发热量，以便提高频率。此外，DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令，提升内存带宽的利用率。从JEDEC组织者阐述的DDR2标准来看，针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、533、667MHz等不同的时钟频率。高端的DDR2内存将拥有800、1000MHz两种频率。DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。最初的DDR2内存将采用0.13微米的生产工艺，内存颗粒的电压为1.8V，容量密度为512MB。
内存技术在2005年将会毫无悬念，SDRAM为代表的静态内存在五年内不会普及。QBM与RDRAM内存也难以挽回颓势，因此DDR与DDR2共存时代将是铁定的事实。
PC-100的“接班人”除了PC一133以外，VCM(VirXual Channel Memory)也是很重
要的一员。VCM即“虚拟通道存储器”，这也是目前大多数较新的芯片组支持的一种内存标准，VCM内存主要根据由NEC公司开发的一种“缓存式DRAM”技术制造而成，它集成了“通道缓存”，由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输的同时，VCM还维持着对传统SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。VCM与SDRAM的差别在于不论是否经过CPU处理的数据，都可先交于VCM进行处理，而普通的SDRAM就只能处理经CPU处理以后的数据，所以VCM要比SDRAM处理数据的速度快20％以上。目前可以支持VCM SDRAM的芯片组很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。 与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。
与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。
然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。
DDR2的定义：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋.
技术对比:
1、延迟问题：
从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
2、封装和发热量：
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。
DDR2采用的新技术：
除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决
【内存品牌】
老兄这是我在网上找的一些内存品牌介绍:现代（HY）
个人认为，原厂现代和三星内存是目前兼容性和稳定性最好的内存条，其比许多广告吹得生猛的内存条要来得实在得多，此外，现代"Hynix（更专业的称呼是海力士半导体Hynix Semiconductor Inc.）"的D43等颗粒也是目前很多高频内存所普遍采用的内存芯片。目前，市场上超值的现代高频条有现代原厂DDR500内存，采用了TSOP封装的HY5DU56822CT-D5内存芯片，其性价比很不错。
金士顿（Kingston）
作为世界第一大内存生产厂商的Kingston，其金士顿内存产品在进入中国市场以来，就凭借优秀的产品质量和一流的售后服务，赢得了众多中国消费者的心。
不过Kingston虽然作为世界第一大内存生产厂商，然而Kingston品牌的内存产品，其使用的内存颗粒确是五花八门，既有Kingston自己颗粒的产品，更多的则是现代（Hynix）、三星（Samsung）、南亚（Nanya）、华邦（Winbond）、英飞凌（Infinoen）、美光（Micron）等等众多厂商的内存颗粒。
Kingston的高频内存有采用"Hynix"D43颗粒和Winbond的内存颗粒的金士顿DDR400、DDR433-DDR500内存等，其分属ValueRam系列（经济型）和HyperX系列。
Kingston的ValueRam系列，价格与普通的DDR400一样，但其可以超频到DDR500使用。而Kingston的HyperX系列其超频性也不错，Kingston 500MHz的HyperX超频内存（HyperX PC4000）有容量256MB、512MB单片包装与容量512MB与1GB双片的包装上市，其电压为2.6伏特，采用铝制散热片加强散热，使用三星K4H560838E-TCCC芯片，在DDR400下的CAS值为2.5，DDR500下的CAS值为3，所以性能也一般。
利屏
利屏是进来新近崛起的一个内存新秀。利屏科技（深圳）有限公司总部设在美国西部风景如画的世界高科技重镇旧金山。公司致力于研发、生产和销售利屏LPT极限高端内存条产品。公司拥有一支技术过硬的产品研发团队和足迹遍及中、外的专业销售队伍。产品深受广大游戏玩家和超频爱好者的喜爱。同时被冠以“超频之神”的美誉。
“利屏”眼镜蛇DDR400系列内存也是专门为追求性能的玩家所设计，它采用的也是D43的颗粒，但是时序更高，为了加强散热更是加上了金属散热片，其超频能力相当强劲，在加0.1V左右的电压下可以超频到DDR520。而利屏的DDR466内存，它采用的是编号为K4H560838E-TCCC的三星颗粒，运行在DDR466的时候内存时序为3-4-4-8，但其256MB容量接近500元的报价就显得太高了。
而利屏的高端极限内存DDR560，提供单片256MB和512MB包装，同时双片装的512MB和1024MB支持双通道架构，每条内存的表面均有铜质散热片进行散热及确保运行的稳定性，其CAS值均为3，只能说刚好能用而已。
勤茂（TwinMOS）
勤茂（TwinMOS）CAS为2的DDR433内存，采用CSP技术封装—这款，勤茂DDR433内存的CAS Latency控制在2，Burst Length控制在2、4、8，性能指数不错。此外，内存外面包裹着金黄色内存罩，能起到散热和屏蔽的作用，内存颗粒与散热片之间则填充了导热的垫片。价格在350元左右，其可超性也不含糊，性价比不错。
胜创（Kingmax）
成立于1989年的胜创科技有限公司是一家名列中国台湾省前200强的生产企业（Commonwealth Magazine，May 2000），同时也是内存模组的引领生产厂商。
通过严格的质量控制和完善的研发实力，胜创科技获得了ISO-9001证书，同时和IT行业中最优秀的企业建立了合作伙伴关系。公司以不断创新的设计工艺和追求完美的信念生产出了高性能的尖端科技产品，不断向移动计算领域提供价廉物美的最出色的内存模组。
在SDRAM时期，Kingmax就曾成功的建造了PC150帝国，开启了内存产品的高速时代，也奠定了Kingmax在内存领域领先的地位。而今DDR来了，从266到300，再到现在的500，Kingmax始终保持着领先的位置，继续引领着内存发展的方向。说到KingMax内存，就不能不说到它独特的 “TinyBGA”封装技术专利——作为全球领先的DRAM生产厂商，胜创科技在1997年宣布了第一款基于TinyBGA封装技术的内存模组，这项屡获殊荣的封装技术能以同样的体积大小封装3倍于普通技术所达到的内存容量。同时，胜创科技还研制了为高端服务器和工作站应用设计的1GB StackBGA模组、为DDR应用设计的FBGA模组以及为Rambus RIMM应用设计的速度高达1.6GB/秒的flip-chip BGA/DCA模组。
Kingmax胜创推出的低价版的DDR433内存产品，该产品采用传统的TSOP封装内存芯片，工作频率433MHz。Kingmax推出的这个SuperRam PC3500系列的售价和PC3200处于同一档次，这为那些热衷超频又手头不宽裕的用户提供了一个不错的选择。此外，Kingmax也推出了CL-3的DDR500内存产品，其性能和其它厂家的同类产品大同小异。
海盗旗（Corsair）
Corsair（海盗旗）是一家较有特点的内存品牌，其内存条都包裹着一层黑色金属外壳，这层金属壳紧贴在内存颗粒上，一方面可以屏蔽其他的电磁干扰。其代表产品如Corsair TwinX PC3200（CMX512-3200XL）内存，其在DDR400下，可以稳定运行在CL2-2-2-5-T1下，将潜伏期和寻址时间缩短为原来的一半，这款内存并不比一些DDR500产品差，而且Corsair为这种内存提供终身保修。
而Corsair DDR500内存采用Hynix芯片，这款XMS4000能稳定运行在DDR500，并且可以超频到DDR530，在DDR500下其CAS值为2.5，性能还算不错。
宇瞻（Apacer）
在内存市场，Apacer一直以来都有着较好的声誉，其SDRAM时代的WBGA封装也响彻一时，在DDR内存上也树立了良好形象。宇瞻科技隶属宏基集团，实力非常雄厚。初期专注于内存模组行销，并已经成为全球前四大内存模组供应商之一。据权威人士透露，在国际上，宇瞻的品牌知名度以及产品销量与目在前国内排名第一的品牌持平甚至超过，之所以在国内目前没有坐到龙头位置，是因为宇瞻对于品牌宣传一直比较低调，精力更多投入到产品研发生产而不是品牌推广当中。
最近，宇瞻相应推出的"宇瞻金牌内存"系列。宇瞻金牌内存产品线特别为追求高稳定性、高兼容性的内存用户而设计。宇瞻金牌内存坚持使用100％原厂测试颗粒（决不使用OEM颗粒）是基于现有最新的DDR内存技术标准设计而成，经过ISO 9002认证之工厂完整流程生产制造。采用20微米金手指高品质6层PCB板，每条内存都覆盖有美观精质的黄金色金属铭牌，而且通过了最高端的Advantest测试系统检测后，采用高速SMT机台打造，经过高低压、高低温、长时间的密封式空间严苛测试，并经过全球知名系统及主板大厂完全兼容性测试，品质与兼容性都得到最大限度的保证。
宇瞻的DDR500内存（PC4000内存）采用金黄色的散热片和绿色的PCB板搭配。金属散热片的材质相当不错，在手中有种沉甸甸的感觉，为了防止氧化，其表面被镀成了金色。内存颗粒方面，这款内存采用了三星的内存颗粒，具体型号为：K4H560838E-TCC5，为32Mx8规格DDR466@CL=3的TSOPII封装颗粒，标准工作电压2.6V+-0.1V，标准运行时序CL-tRCD-tRP为3-4-4。在DDR500下其CL值为3，性能将就。
金邦（Geil）
金邦科技股份有限公司是世界上专业的内存模块制造商之一。全球第一家也是唯一家以汉字注册的内存品牌，并以中文命名的产品"金邦金条"、"千禧条GL2000"迅速进入国内市场，在极短的时间内达到行业销量遥遥领先。第一支"量身订做，终身保固"记忆体模组的内存品牌，首推"量身订做"系列产品，使计算机进入最优化状态。在联合电子设备工程委员会JEDEC尚未通过DDR400标准的情况下，率先推出第一支"DDR400"并成功于美国上市。
金邦高性能、高品质和高可靠性的内存产品，引起业界和传媒的广泛关注。在过去几年中，金邦内存多次荣获国内权威杂志评为读者首选品牌和编辑选择奖，稳夺国内存储器市场占有率三强。
金邦的Geil Platinum系列的DDR500内存（PC4000），采用TSOPII封装，使用了纯铜内存散热片，可较妥善的解决内存的散热问题。采用六层低电磁干扰PCB板设计；单条容量256MB，在内存芯片上做了整体打磨并上打上了Geil的印记，"号称"使用了4ns的内存芯片，但仍可以看出其是采用Hynix的内存颗粒。额定工作频率可达500MHz，在内存参数方面这是默认为CL3，可达CL2.5。除此而外，其还有金条PC4200（DDR533）等款产品。
威刚（ADATA）
威刚的高频内存有DDR450、460、500等。Adata DDR500是一款价格适宜的DDR500产品，CAS值为3，其没有使用散热片，在芯片上的标签显示了Adata ID号。
OCZ
OCZ的高频内存在市场上也越来越常见，如OCZ 3700 Gold，使用三星TCB3芯片，采用改良的散热片，标上有OCZ ID号及标准速度，其可以达到DDR500的水准，在DDR400/500下其CAS值均为2.5，还算不错。 楼上只货是唔是都C+C..然后C+V... 是啊 ..都是網上找的. 肯"C+C..然后C+V",总好過不肯去找啦. 都谢谢大家了~！~
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